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電子束蒸發(fā)源-真空組件 電子束蒸發(fā)源對于使用常用熱蒸發(fā)技術(shù)非常難蒸發(fā)的材料,電子束蒸發(fā)是一種有效的蒸發(fā)手段.通過高能電子束射向靶材來升高靶材溫度.相比于通常輻射或間接電阻加熱方式,使用這種方式來達到溫度沒有本質(zhì)的限制。

磁控濺射靶源-真空組件 我司提供的磁控濺射源是目前一和超高真空系統(tǒng)（1e-11torr）匹配的商業(yè)用濺射源。 在不配置彈性墊圈的結(jié)構(gòu)中，可烘烤至250℃。在匹配的超高真空環(huán)境下，可以實現(xiàn)超高純度的濺射沉積。

IIG2離子源-超高真空 典型應用是氬離子濺射清洗表面（中科院物理所配置多套IG2型離子源） 濺射清洗 /表面準備，用于表面科學， MBE ，高真空濺射過程 離子輔助沉積 離子束濺射鍍膜 反應離子刻蝕

真空腔體水氣解吸附組件 Zcuve是近年來上較多使用的水蒸氣解吸技術(shù)。*的設計可從2.75“擴展到8”法蘭尺寸，具有比例較高的紫外線功率因數(shù)

半球電子能量分析器-真空組件 半球電子能量分析器半徑: 120mm 反轉(zhuǎn)角度: 180 deg.

磁控濺射源（1英寸/2英寸/3英寸）-真空組件 磁控濺射源/靶槍（1英寸/2英寸/3英寸）我們提供多種口徑的圓形平面靶槍,尺寸1“, 2“ and 3“. 以及矩形靶槍 安裝法蘭口徑：NW63CF，NW100CF 真空腔體內(nèi)長度范圍：150-400mm 真空腔體內(nèi)端面直徑：60-96 靶材直徑： 1“, 2“ and 3“ 靶材大厚

真空腔體水氣解吸附組件2 ZCUVE代表了水蒸氣解吸技術(shù)的新進展。*的設計可從2.75“擴展到8”法蘭尺寸，紫外線功率因數(shù)w按比例增加

射頻離子/原子源（可轉(zhuǎn)換）-真空組件 射頻離子源：用于離子束沉積，離子束輔助沉積，MEMS 射頻原子源：用于合成氧化物，氮化物，氫原子清洗