
產(chǎn)品分類
Product Category等離子體增強化學(xué)氣相沉積,通常選用射頻淋浴源(RF)或帶有不規(guī)則氣體分布的空心陰極射頻等離子體源作為反應(yīng)源產(chǎn)生等粒子體。
等離子體增強原子層沉積系,原子層沉積是在一個加熱反應(yīng)的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅(qū)體源,化學(xué)吸附至表面飽和時自動終止,適當(dāng)?shù)倪^程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個基本的原子層沉積循環(huán)包括四個步驟:脈沖A,清洗A,脈沖B和清洗B。沉積循環(huán)不斷重復(fù)直至獲得所需的薄膜厚度,是制作納米結(jié)構(gòu)從而形成納米器件較佳的工具。
MOKE系統(tǒng):超高真空系統(tǒng)用于對超薄磁膜和多層電子束蒸發(fā)的薄膜沉積進行現(xiàn)場實時磁光克爾效應(yīng)研究。
多功能鍍膜系統(tǒng)滿足研究所和研發(fā)部門對真空薄膜沉積的性能要求,占用空間小,具有超高的性價比,可以向客戶提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。
MBE 系統(tǒng)根據(jù)蒸發(fā)源的類型和數(shù)量以及基板大小,可提供不同的標(biāo)準(zhǔn)襯底尺寸:直徑300mm、直徑450mm 和 直徑570mm(根據(jù)要求的其他尺寸)。
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