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電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述:電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)
熱蒸發(fā)系統(tǒng)、超高真空蒸發(fā)系統(tǒng)、分子束外延MBE、有機(jī)分子束沉積OMBD、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)PECVD/ICP Etcher、電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、離子泵等;

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2025-02-27
  • 訪  問(wèn)  量:2677

詳細(xì)介紹

品牌其他品牌應(yīng)用領(lǐng)域電子,電氣,綜合

電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)

儀器簡(jiǎn)介:

全球?qū)I(yè)的沉積設(shè)備制造商,為各個(gè)領(lǐng)域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案:電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、熱蒸發(fā)系統(tǒng)、超高真空蒸發(fā)系統(tǒng)、分子束外延MBE、有機(jī)分子束沉積OMBD、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)PECVD/ICP Etcher、電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、離子泵等;


E -Beam Evaporation System
2.高真空統(tǒng)High Vacuum E -Beam Evaporation System
3.超高真空Ultra-high Vacuum (UHV) E -Beam Evaporation System
4.離子輔助蒸發(fā)系統(tǒng)Ion Beam Assisted Evaporation System
5.離子電鍍系統(tǒng)Ion Plating System
6.Cluster Tool E -Beam Evaporation System
7.在線電子束蒸發(fā)系統(tǒng)In-line E -Beam Evaporation System


電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)技術(shù)參數(shù):

1.電子束源&電源
     單個(gè)或者可自由切換換電子束源:
      --蒸發(fā)室數(shù)量 1 ~ 12(標(biāo)配: 4, 6)
      --坩堝容量:7 ~ 40 cc (最大可達(dá)200 cc)
      --標(biāo)準(zhǔn):25 cc (4 or 6 Pocket), 40 cc (4 Pocket)
      --最大:200 cc (156cc for UHV) 可用于長(zhǎng)時(shí)間的沉積
      --偏轉(zhuǎn)角度:180o, 270o
      --輸出功率:6, 10, 15, 20 kW
      --支持兩個(gè)或者三個(gè)電子束源在一個(gè)系統(tǒng)上
      --可連續(xù)或者同時(shí)沉積兩種或三種材料
      --高速率沉積

   2.薄膜沉積控制:
     IC-5 ( or XTC, XTM) 和計(jì)算機(jī)控制
     --沉積過(guò)程參數(shù)可控
     --石英晶體振蕩傳感器
     --光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)用于光學(xué)多層薄膜沉積:測(cè)量波長(zhǎng)范圍350-2000 nm,分辨率1 nm
     --薄膜厚度檢測(cè)和處理過(guò)程可通過(guò)計(jì)算機(jī)程序控制
     --薄膜厚度檢測(cè)和沉積速率可通過(guò)計(jì)算機(jī)程序控制
     --支持大面積沉積
     --支持在線電子束蒸發(fā)沉積
     --基底尺寸:20~100英寸
     --薄膜均勻性 <±1.0 to 5.0 %

   3.真空腔體:
     --圓柱形腔體
     --直徑:φ500 ~ 1,500 mm
     --高度:800 ~ 1500 mm
     --方形腔體
     --根據(jù)客戶的需求定制

   4.真空泵和測(cè)量裝置:
     --低真空:干泵和convectron真空規(guī)
     --高真空:渦輪分子泵,低溫泵和離子規(guī)
     --超高真空:雙級(jí)渦輪分子泵,離子泵和離子規(guī)

   5.控制系統(tǒng)PLC和 觸摸屏計(jì)算機(jī):
     --硬件: PLC, 觸摸屏計(jì)算機(jī)
     --包括模擬和數(shù)字輸入/輸出卡
     --顯示器: LCD
     --自動(dòng)和手動(dòng)程序控制
     --程序控制:加載,編輯和保存
     --程序激活控制:
     --泵抽真空,蒸發(fā)沉積,加熱, 旋轉(zhuǎn)等
     --膜厚度檢測(cè)和控制多層薄膜沉積
     --系統(tǒng)狀態(tài),數(shù)據(jù)加載等
     --問(wèn)題解答和聯(lián)動(dòng)狀態(tài)



擴(kuò)展功能:

1、質(zhì)量流量控制器:反應(yīng)和等離子體輔助惰性氣體控制
   2、離子源和控制器:等離子體輔助沉積
   3、射頻電源:基底預(yù)先處理
   4、溫度控制器:基底加熱
   5、熱蒸發(fā)器:1 or 2 boat
   6、蒸鍍?cè)碿ell:1 or 2 for doping
   7、冷卻器:系統(tǒng)冷卻



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