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Q-One納米級(jí)離子注入系統(tǒng)是一種具有納米級(jí)精度的確定性單離子注入的最新工具。這是一種全新的設(shè)計(jì)，功能強(qiáng)大的FIB，能夠以驚人的精度和前所的未有的速度定位單個(gè)離子。

紅外光晶圓鍵合檢測(cè)裝置，為了實(shí)現(xiàn)晶圓的可視化，需要一臺(tái)帶有USB端口和Windows 2000或更高版本的個(gè)人電腦。

使用芯片到芯片鍵合機(jī)，可以手動(dòng)對(duì)齊兩個(gè)芯片。然后可以使芯片接觸，以進(jìn)行陽(yáng)極鍵合或各種膠合過(guò)程。單芯片對(duì)準(zhǔn)級(jí)包括三個(gè)線性軸和三個(gè)旋轉(zhuǎn)軸，為大多數(shù)對(duì)準(zhǔn)應(yīng)用提供了足夠的自由度。

紅外晶圓檢測(cè)顯微鏡，硅片是集成電路（IC）和微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）制造中使用的重要部件。在紅外（IR）范圍內(nèi)看穿這種半導(dǎo)體材料的能力有利于制造過(guò)程的質(zhì)量控制。

單離子注入聚焦離子束測(cè)試設(shè)備 量子和納米級(jí)材料工程的先進(jìn)平臺(tái) Q-One™是先進(jìn)的聚焦離子束平臺(tái)，用于先進(jìn)的器件制造和納米級(jí)材料工程。Q-One具有確定性單離子注入功能，是第一臺(tái)專門(mén)為滿足量子研究的苛刻要求而設(shè)計(jì)的儀器。

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜測(cè)試設(shè)備，先進(jìn)的動(dòng)態(tài)TOF-SIMS系統(tǒng)，它使用直流主束的飛行時(shí)間分析儀，創(chuàng)建了成像質(zhì)譜的新范式。直流一次離子束的使用允許快速成像和連續(xù)數(shù)據(jù)采集（即沒(méi)有單獨(dú)的蝕刻周期），同時(shí)提供高空間和質(zhì)量分辨率。 特點(diǎn)： 離子束帶來(lái)高分子量分析和高空間分辨率 四種離子束可選擇 用氣體團(tuán)簇離子束SIMS，可以分析高達(dá)3000Da的分子量 無(wú)“僅蝕刻”循環(huán)的深度剖面。 快速、連續(xù)采集

球磨測(cè)厚儀-測(cè)試設(shè)備 控制單元自帶可編程的微處理器:速度，時(shí)間，球型，X，Y直徑，自帶LED光源，目鏡小刻度為0.02mm，自動(dòng)厚度校準(zhǔn)，工作時(shí)間范圍：1-30min，球型：10，15，20，25，30mm，球磨速度可控：200-1000tr/min。

涂層附著力檢測(cè)儀-測(cè)試設(shè)備 1.快速簡(jiǎn)易：壓痕并觀察壓痕效果 2.高性價(jià)比：寶石探針消耗低（劃痕儀的10倍使用壽命）